NTMD6P02R2SG
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | NTMD6P02R2SG |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 6.2A, 4.5V |
Leistung - max | 750mW |
Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 16V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.8A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | NTMD6 |
NTMD6P02R2SG Einzelheiten PDF [English] | NTMD6P02R2SG PDF - EN.pdf |
ON QFN
NTMD6P02R2G. ON
ON SOP-8
ON QFN
ON QFN
MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC
ON QFN
MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC
NTMD6P02 ON
ON SON8
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
NTMD6N04 ON
ON QFN
MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
ON SON8
MV5_100V_N_P_IN DUALS AND SINGLE
ON QFN
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() NTMD6P02R2SGonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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